2012年5月8日，推進利用TSV(矽通孔)的三維層疊型新一(yī)代DRAM“Hybrid Memory Cube(HMC)”普及的Hybrid Memory Cube Consortium(HMCC)宣布，軟件行業巨頭美國微軟已加盟該協會。

　　HMC是采用三維構造，在邏輯芯片上沿垂直方向疊加多個DRAM芯片，然後通過TSV連接布線的技術。HMC的最大(dà)特征是與既有的DRAM相比，性能可以得到極大(dà)的提升。提升的原因有二，一(yī)是芯片間的布線距離(lí)能夠從半導體(tǐ)封裝平攤在主闆上的傳統方法的“cm”單位大(dà)幅縮小(xiǎo)到數十μm～1mm;二是一(yī)枚芯片上能夠形成1000～數萬個TSV，實現芯片間的多點連接。

　　微軟之所以加入HMCC，是因爲正在考慮如何對應很可能會成爲個人電腦和計算機性能提升的“内存瓶頸”問題。内存瓶頸是指随着微處理器的性能通過多核化不斷提升，現行架構的DRAM的性能将無法滿足處理器的需要。如果不解決這個問題，就會發生(shēng)即使購買計算機新産品，實際性能也得不到相應提升的情況。與之相比，如果把基于TSV的HMC應用于計算機的主存儲器，數據傳輸速度就能夠提高到現行DRAM的約15倍，因此，不隻是微軟，微處理器巨頭美國英特爾等公司也在積極研究采用HMC。

　　其實，計劃采用TSV的并不隻是HMC等DRAM産品。按照半導體(tǐ)廠商(shāng)的計劃，在今後數年間，從承擔電子設備輸入功能的CMOS傳感器到負責運算的FPGA和多核處理器，以及掌管産品存儲的DRAM和NAND閃存都将相繼導入TSV。如果計劃如期進行，TSV将擔負起輸入、運算、存儲等電子設備的主要功能。